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　　使用这些器件可提高效率并节约成本。与传统的150mΩ GaN晶体管相比，CoolGaN Smart Sense产品在RDSs(on) （例如 350 mΩ）更高的情况下，能以更低的成本提供类似的效率和热性能。此外，这些器件与英飞凌的分立 CoolGaN 封装脚位兼容，无需进行布局返工和 PCB 重焊，进一步方便了使用英飞凌 GaN 器件的设计。
avago　　经过预集成及验证，Dubhe-70能极大简化SoC开发工作。Dubhe-70可提供具备内存一致性的Cluster内单核、双核或四核的配置选择，具有高度可扩展性。在配套软件方面，赛昉科技能为客户提供裸机SDK、Linux SDK、独立且预编译的IDE等。
首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET—SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D2PAK封装器件，同时减小占位面积。

下一代物联网边缘设备要求在不影响功耗的情况下继续提高性能。英飞凌创新的PSOCEdge E8系列半导体产品不仅利用机器学习功能实现实时响应式AI，还平衡了性能与功耗要求，并为联网家用设备、可穿戴设备和工业应用提供了嵌入式安全性。作为领先的MCU提供商，我们致力于为扩展未来物联网系统功能提供解决方案。
我们需要确保结果没有任何时间上的延迟，因为即使短暂的分析时机延迟都可能导致成品无法及时放行以满足患者群体的需求。质谱技术虽然复杂，但ACQUITY QDa质谱检测器的操作便捷性让人印象深刻。我们相信，这台仪器可以助力未来。
avago　　TDK 株式会社（TSE：6762）利用其卓尔不凡的霍尔效应 3D 位置传感器产品系列的成员 HAL/HAR 3936*，进一步扩展了其的 Micronas 3D HAL 位置传感器系列。HAL/HAR 3936 是磁位处理技术的重大进步，旨在满足现代汽车和工业应用场景的苛刻要求。
NVMe NANDrive EX系列具有卓越的数据保持能力和7.5万、15万或40万擦写次数（P/E）的超高耐久性（可达17,800 TBW（TeraBytes Written））。该产品系列目前有20 GB、40 GB、80 GB和160 GB多种容量供客户选择。为了支持长寿命应用的客户，NVMe NANDrive EX 系列固态硬盘也包含在绿芯长期支持 (LTA) 方案中 (https://bit.ly/SSD-LTA-program)。
根据 ISO 26262 标准开发的 HAR 3920 符合 ASIL C 级要求，适合集成到 ASIL D 级的汽车安全相关系统中。此传感器适用于油门踏板位置或节流阀位置测量，或非接触式电位器等应用场景。**计划于 2024 年 4 月投产；样品现在可应要求提供。

　　三星采用的Dimensity 9300+被认为是联发科充分展示设计能力的产品，虽然与竞争对手骁龙8 Gen 3一样采用台积电4纳米（nm；1nm=十亿分之一米）工艺生产，但近在半导体性能评估网站上获得了更高的分数。据报道，它比高通的AP便宜10%以上。
avago此外，为适应更多工业场景的应用，FCS945R新增子型号，支持-40°C ~+85°C的工作温度，进一步拓宽了模组的应用场景。
车规级数字输出温度传感器NST175-Q1和模拟输出温度传感器NST235-Q1、NST86-Q1、NST60-Q1。这些温度传感器采用高性能、高可靠性的CMOS测温技术，具备全温区高精度、高线性度、低功耗和高集成度等特点，无需额外电路，且能有效替代无源热敏电阻，是极具性价比的系列产品。
　　凭借先进的图形处理能力，英特尔车载独立显卡可支持高保真视觉效果和复杂的 3D 人机界面（HMI），为用户带来流畅、身临其境的 3A游戏大作，反应灵敏、支持情境感知的AI助手，与沉浸式的 3D 人机界面。对于当今消费者渴望获得无缝衔接、增强交互式体验、引人入胜的车载娱乐系统的市场来说，这些都是至关重要的进步。