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　　HL990x系列的主要特点是内部集成快恢复超结功率MOSFET，能够有效地减少电磁干扰(EMI)和开关损耗，具有的工作效率。内部集成高速高压集成电路(HVIC)不再需要多个驱动电源。该HVIC无缝地将逻辑信号转换为高压、大电流驱动信号，完全匹配内部功率MOSFE，无需额外的开销和考虑，对于简化系统设计，提高性能具有重大的意义。
onsemi　　MLX90427是迈来芯推出的新一代磁性位置检测芯片。该产品凝聚迈来芯在汽车霍尔效应传感领域的丰富知识和技术积累，旨在为汽车行业当下和未来的技术要求提供理想的解决方案。MLX90427的核心在于其先进的Triaxis?霍尔磁传感元件，能够精准地感知并测量磁通密度的三个分量（Bx、By和Bz），确保无论磁铁在何种方向上移动，都能被芯片准确捕捉。
推挽变压器驱动NSIP605x系列。该系列包括输出功率为1W的NSIP6051和输出功率为5W的NSIP6055。其中，NSIP6055提供两个版本：开关频率为160kHz的NSIP6055A，可用于对EMI要求更严格的系统应用；以及开关频率为420kHz的NSIP6055B，可用于对提高转换效率和缩小变压器尺寸有需求的系统应用。

　　SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压，可以连接高低边功率开关管。共有四款产品供用户选择，仅器件选型就可以让用户优化应用设计，通过选择5.5V或 9V的栅极驱动电压，可以在设计选用理想的逻辑电平 MOSFET、标准 MOSFET 或 GaN 晶体管，避免复杂的计算过程。 SRK1004 适用于非互补性有源钳位、谐振和准谐振 (QR) 反激式拓扑，引入了能够简化开关操作并节省电能的新一代关断算法。
　　Bluetooth LE低功耗蓝牙、Zigbee和Thread(在智能电表和智能建筑市场热度较高)等近距离无线通信技术，可以连接智能设备与家庭网桥、网关、智能手机等控制器。随着人们都在寻找如何过上成本更低、低碳绿色、安逸舒适的生活，企业希望更快地将成本严格控制的高性能创新解决方案推向市场。
onsemi　　ST4E1240内置的保护功能符合 IEC 61000-4-2 标准，接触放电耐压高达+/-12kV，在实际应用中无需连接外部 ESD 保护器件。还有高达+/- 4kV的 A级快速瞬变保护功能，符合 IEC 61000-4-4标准的规定，保证数据完整性和总线稳定性。热插拔电路可防止在器件上电或插入期间总线上出现多余状态，并能够释放高达 100pF 的寄生电容。此外，故障安全保护功能可以拉高输出电平，避免在检测到开路、短路或空闲总线时出现不确定状态。其他功能包括 250mA 短路保护和热关断。
　　日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。
　　Marktech MTMD142345PDT38 多 LED 光电二极管组合MTMD142345PDT38 具有五个尺寸为 1.04、1.2、1.3、1.46 和 1.55μm 的 LED，以及一个在 600 – 1,750nm 范围内敏感的 InGaAs 光电二极管，所有这些均可单独寻址并密封在 TO-5 金属罐中。

　　此外，通过支持Windows 11 on Arm，ROM-2860充分发挥了Arm架构的潜力，延长了电池寿命并确保稳定的性能输出。Arm系统（SoC）通常具有CPU、GPU、Wi-Fi、移动数据网络和神经处理器单元 (NPU) 等基本功能来处理 AI 工作负载，这为用户提供了与新的Arm设备上现有应用程序和工具的无缝兼容性。
onsemi而随着电动汽车技术的不断进步，对传感器性能的要求也越来越高，要求传感器不仅要具备出色的电磁兼容鲁棒性和杂散场抗干扰性，其解决方案还须具有成本效益并易于集成性。
　　纳微半导体发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，基于CRPS185外形尺寸，其采用了额定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC级的GaNSafe?氮化镓功率芯片一起，让这款电源实现了138 W/inch的功率密度和超过97%的峰值效率，轻松达到欧盟目前强制执行的“钛金+”效率标准。
　　LogiCoA是基于融合了数字元素的设计理念开发而成的品牌，可以更大程度地发挥模拟电路的性能。LogiCoA电源解决方案是业界先进的“模拟数字融合控制”电源，将以LogiCoA微控制器为核心的数字控制部分和由Si MOSFET等功率器件组成的模拟电路结合在一起的方式，在业界尚属初创。